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本日、株式会社東芝（本社：東京都港区　以下、東芝）は、半導体メモリの拠点である東芝四日市工場（三重県四日市市　以下、四日市工場）において、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの生産能力の増強を目的に、第５製造棟の建設を開始しました。第５製造棟は、２０１１年春の竣工予定です。
また、東芝とサンディスクコーポレーション（本社：米国・カリフォルニア州　以下、サンディスク）は、このたび第５製造棟においても共同で製造合弁会社を設立することで合意しました。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、スマートフォンやＳＳＤなどの新しいアプリケーションを中心に需要が増加傾向にあること、中長期的にも市場拡大が見込まれることから、今般、第５製造棟の建設を開始することとしたものです。新棟建設により、需要拡大に迅速に対応できる体制を整えていきます。

第５製造棟の建屋は、東芝単独で建設することとし、２期に分けて建設を行い、市場動向を踏まえて段階的な投資判断をしていきます。製造プロセスは、最先端２０ｎｍ注台からスタートし、その後順次、次世代のプロセスを導入していきます。なお、第２期工事完了後の建屋面積は第４製造棟とほぼ同規模の約３８，０００ｍ２を計画しています。また、製造設備の投資については今後両社で検討していきます。

第５製造棟では免震構造を採用し、地震による製造装置への影響を抑制する対策を行います。また、ＣＯ２の排出量をＬＥＤ照明の全面展開、最新の省エネ製造設備の積極的採用、各種ポンプにインバータ制御機能を１００％展開するなどの施策により、第４製造棟と比較して１２％低減するなど、環境面にも配慮した工場とする計画です。

両社は今年４月から第４製造棟での増産投資を再開するなど、需要拡大に対応する体制構築に取り組んでいます。さらに中長期的にも市場の拡大が見込まれるため、第５製造棟が稼動するまでに第４製造棟の生産能力をフルにする予定であり、第５製造棟での生産開始とあわせ、拡大する市場からの要求にタイムリーに対応していきます。

両社は、今後も、市場動向にあわせたタイムリーな設備投資、微細化やポストＮＡＮＤの開発など、メモリ事業の競争力強化に向けた取り組みを積極的に展開していきます。

注　ｎｍ：ナノメートル。１０－9ｍ