プレスリリース

東芝とサンディスク、4ギガビットのNAND型フラッシュメモリーを発表、2チップを積層した8ギガビットフラッシュメモリーも製品化

2004年 04月 05日

90ナノメートルプロセス技術に多値技術を応用大容量化と書き込み速度の高速化を実現

2004年4月6日、カリフォルニア州サニーベール発──株式会社東芝とサンディスクコーポレーション(NASDAQ:SNDK)は、業界最大容量となる4ギガビットNAND型フラッシュメモリーを本日発表いたしました。

 同製品は、多値技術(MLC)を用い、現行の1チップでの最大容量を2倍にしたもので、デジタル機器などでニーズが高まっている書き込み速度の高速化も図られています。また、4ギガビットNAND型フラッシュメモリーを2チップ積層した、8ギガビットNAND型フラッシュメモリーも同時に発表しました。

 この新世代の多値技術によるNAND型フラッシュメモリーにより、現行のメモリーカードの記憶容量を2倍にすると同時に、メガバイトあたりのコストを低減することが可能になります。例えば、8ギガビットNAND型フラッシュメモリー1チップを用いることで、1ギガバイトのメモリーカードの製造が可能になります。

 両社は、2004年第3四半期より同製品の量産を開始する計画で、サンディスクでは、同時期から出荷される同社製メモリーカードに採用していく予定です。 

 東芝とサンディスクは、NAND型フラッシュメモリーの共同開発に関する包括的な合意のもと、1999年より共同開発を進めてきました。新製品は、最先端の90ナノメートルプロセス技術を用い、両社の合弁会社であるフラッシュビジョン(三重県四日市市)で生産されます。

 NAND型フラッシュメモリーは、大容量のデータ保存に適しており、デジタルカメラやPDA、携帯電話といったデジタル機器向けのメモリーカードや内蔵メモリーなどに広く採用されています。

 サンディスクコーポレーション エグゼクティブバイスプレジデント兼COO Sanjay Mehrotraのコメント──「この多値技術による4ギガビット及び8ギガビットのNAND型フラッシュメモリーは、当社の最新のコントローラーチップと組み合わせることで、より高速の書き込み速度のメモリーカードを実現できるでしょう。また同製品は、今回バイナリ技術による2ギガビット製品に採用した90ナノメートルプロセス技術に、多値技術(MLC)を応用した最初の製品で、最も高密度のフラッシュメモリーであると言えます。そして、フラッシュビジョン事業における東芝とサンディスクのパートナーシップによる開発力を証明するものであると言えます」

【製品の主な特徴】

  1. 90ナノメートルプロセス技術と多値技術(MLC)を組み合わせることで、従来の0.13ミクロンプロセス技術による1ギガビット製品と同じチップサイズで、4ギガビットの容量を実現。
  2. メモリーセルの制御システムの最適化などにより、書き込み速度の高速化を実現。
  3. 4ギガビットNAND型フラッシュメモリーを2個積層することで、同サイズのTSOPパッケージで8ギガビットの容量を実現。コンパクトフラッシュ製品の場合、同パッケージを最大4個まで搭載することができ、32ギガビット(4ギガバイト)の記憶容量が可能。


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