プレスリリース

8ギガビットNAND型フラッシュメモリの開発について

2005年 02月 07日

2005年2月8日

 株式会社東芝(本社:東京都港区、代表者:岡村正)とサンディスクコーポレーション(本社:米国カリフォルニア州、CEO:エリ・ハラリ)は、70ナノメートルのプロセスを用い、1チップで8ギガビット(1ギガバイト)の大容量を実現するNAND型フラッシュメモリの回路技術を共同開発しました。

 新技術では、メモリセル1つ当たりの記憶容量を2倍に増加できる多値技術を導入したほか、設計の最適化により、チップ面積を従来方式で設計した場合に比べ約5%小さい146mm2としています。これにより、1cm2あたり60億ビット(30億個のトランジスタ)の高集積化を実現しています。前世代の90ナノメートルプロセスによる4ギガビット製品と比べてもチップサイズの増加は5%以内に抑えられ、ほぼ同じサイズで2倍の容量を実現しています。

 また、回路構造やプロセスの改良により、1秒あたり6メガバイトの高速書き込みを実現しています。読出し速度については、データ伝送効率の高いバーストモード採用などにより、従来製品に対し約40%高速の1秒あたり60メガバイトとしています。

 新技術を採用し、8ギガビットのNAND型フラッシュメモリを両社で製品化し、2005年夏より両社出資の合弁会社(東芝四日市工場内)で生産を開始する予定です。2006年には、今回の8ギガビット品を主力製品化する計画です。また、2チップを1つのパッケージ内に積層した16ギガビット製品もあわせて製品化する予定です。

 なお、今回の成果については、2月6日から米国サンフランシスコで開催されているISSCC(国際固体素子回路会議)において本日(米国時間2月7日)発表しました。 


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