プレスリリース

サンディスクが43ナノメーターマルチレベルNANDフラッシュメモリーの量産を開始

2008年 02月 14日

最先端プロセステクノロジーがMLCフラッシュメモリーの技術と生産分野でリーダーシップを発揮

2008年2月15日(同月6日、カリフォルニア州サンフランシスコ発)

サンディスク・コーポレーション (NASDAQ:SNDK) は2月6日、東芝と共同開発した43ナノメーター (nm) プロセステクノロジーを使用したマルチレベルセル (MLC) NAND フラッシュメモリーを共同で発表しました。 この発表は半導体の回路技術に関する国際学会ISSCC 2008で行われました。

今回発表した43nm プロセステクノロジーは、従来の56nm 16ギガビット(Gb)プロセステクノロジーと比較 すると、チップ当たりのメモリ容量を2倍に高めることにより、性能と信頼性を維持しながらチップ・コストを  低減することができます。サンディスクは、業界で最高密度のシングル・チップMLC NAND フラッシュメモリーを用いた製品を2008年第2四半期に出荷開始いたします。当初は16ギガビットを出荷し、2008年後半には32ギガビットの出荷を開始いたします。

サンディスク・コーポレーションの生産技術及びワールドワイドオペレーションを担当するエグゼクティブバイス  プレジデント、ランディール・タカール博士によれば、「非常にコストが低いMLC NANDフラッシュメモリーの43nm世代の量産を開始できることに興奮を覚えます。技術面での特長としては、高効率なプログラミング・アルゴリズムと、8キロバイト(KB)ページ・サイズを有すサンディスクの特許・オール・ビットライン(ABL)構造を 採用することにより高いパフォーマンスが得られます。最先端のリソグラフィー技術を始めとした、プロセス技術の革新性と、業界初の64-NAND ストリング構造が、メガバイト当たりのコスト低減とハイパフォーマンスを 可能としました。サンディスクが今後も最先端テクノロジーとコストメリットを消費者に提供し続けるためにも、43nmテクノロジー世代は当社の2008年度の最重点分野となるでしょう」とのこと。

本日、サンディスクと東芝は、ISSCC2008にて、43nm 16Gb NANDフラッシュメモリー技術に関する論文を共同で発表いたしました。

サンディスクは、最先端のNANDフラッシュ・テクノロジーの開発と生産における業界のリーダであり続け、  東芝四日市工場で43nmの量産を開始しました。サンディスクと東芝は四日市工場にて共同生産を行うとともに、MLC NANDフラッシュメモリーの設計と技術開発を共同で進めてまいります。

43nm MLC NAND フラッシュメモリーの量産は、サンディスクと東芝が開設したばかりの300mmウェーハ  工場第4棟(Fab4)で開始するとともに、2008年後半には同第3棟(Fab3)においても43nm化を進め量産を行う予定です。

サンディスクの革新的なシステム技術と独自のコントローラーが組み込まれた 43nm世代のNANDフラッシュメモリーは、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)や iNANDなど、急速に成長を続けるモバイル市場において、 あるいは新しく台頭してきた市場において他社製品と差別化するハイパフォーマンス製品ラインとしてリーダーシップが期待されます。


1メガバイト(MB)=100 万バイト; 1 ギガバイト(GB)=10 億バイト
※ サンディスクおよびサンディスクのロゴはサンディスク・コーポレーションの、アメリカ合衆国および他の国々における登録商標。microSD、miniSD、SD、SDHC、SDHCロゴは 商標です。
※ ここで登場した他のブランド名は同定目的のみに用いられ、それぞれ所有者の商標である可能性があります。

サンディスクはフラッシュストレージカードの最初の発明者であり、自社の特許高密度フラッシュメモリー及び  コントローラーテクノロジーを用いたデータ保存カード製品の世界最大の供給会社です。サンディスクは   カリフォルニア州に本拠を置き、世界中で操業を展開しており、売上の50パーセント以上を海外市場で 挙げております。

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