プレスリリース

サンディスクがフラッシュ・ストレージの新技術3ビット/セルNANDフラッシュメモリーテクノロジーを発表

2008年 02月 14日

世界初の量産 16ギガビット 3ビット/セル NAND フラッシュ・チップを発表

2008年2月15日(同月6日、カリフォルニア州サンフランシスコ発)

サンディスク・コーポレーション (NASDAQ:SNDK) は2月6日、世界初の3ビット/セル (セル当たり3ビット) NAND フラッシュメモリーの量産を2008年3月から4月にかけて開始する予定と発表しました。

3ビット/セルテクノロジーは東芝との共同開発によるもので、この発表は半導体の回路技術に関する国際  学会ISSCC 2008で行われました。

ISSCC2008においてサンディスクと東芝は、毎秒 8メガバイト(MB/秒) の書込み性能を持つ、56nmテクノロジーに基づいた 16Gb 3ビット/セル NAND フラッシュメモリーの開発を可能にしたテクノロジーの進歩を記載 した文書を提示しました。

16ギガビット(Gb) 3ビット/セル NAND フラッシュはサンディスクの標準 56ナノメーター (nm) フラッシュ・テクノロジーを用いたもので、同じテクノロジー・ノードの標準NAND マルチレベルセル (MLC)メモリ(2ビット/セル) との 対比ではウェーハ当たりの取得チップ数を20パーセント以上増加することができます。このため、3ビット/セルは設備投資あたりの、より高い生産効率とチップ・コストの低減を可能とします。3ビット/セルの新しいフラッシュ 構造は過去2年にわたり開発を進めてきたもので、サンディスクの特許である最先端設計技術を採用することによって2ビット/セルチップと同等の性能と高い信頼性を達成することができました。

サンディスクのフラッシュメモリー設計・製品開発担当シニアバイスプレジデントであるカンカー・N.・クァダー博士は、「3ビット/セル NANDフラッシュメモリーの開発においては、サンディスクが持つ最先端の特許プログラミング・  アルゴリズムとマルチ・レベルデータ・ストレージ・マネジメントスキームを擁す革新的な特許オール・ビット・ライン (ABL) 構造が、性能や信頼性を損なうことなく活用され、3ビット/セルがサンディスク製品ラインに広く用いられる途を拓きました。サンディスクでは 3ビット/セルはフラッシュメモリーにおける大きな商業的躍進をもたらす ものであり、現在とまた将来の幾世代にも渡ってNANDフラッシュ・ストレージ分野において、ムーアの法則を 進展していくであろうと信じています」と述べています。

サンディスクでは現行のMLCメモリーに匹敵する書込みスピードを持つ 3ビット/セルテクノロジ―が、幅広いアプリケーションに適した高密度フラッシュメモリー需要の増加に対応し、また、同じテクノロジーを基盤とする 2ビット/セルMLC と比べて大幅な低価格で提供できるメリットをもたらすものと信じています。3ビット/セルNAND メモリーの量産化のために、高度なシステム・レベルでの専門知識・経験が不可欠であり、サンディスクが有する知識と実績は 3ビット/セル NAND メモリー・テクノロジーのパワーを活用していくうえで、非常に有利であり秀でた競争力となります。


1メガバイト(MB)=100 万バイト; 1 ギガバイト(GB)=10 億バイト
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サンディスクはフラッシュストレージカードの最初の発明者であり、自社の特許高密度フラッシュメモリー及び  コントローラーテクノロジーを用いたデータ保存カード製品の世界最大の供給会社です。サンディスクは   カリフォルニア州に本拠を置き、世界中で操業を展開しており、売上の50パーセント以上を海外市場で 挙げております。

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