プレスリリース

【カリフォルニア州ミルピタス発リリース抄訳】サンディスク、世界最小・最先端のプロセスノードとなる 19ナノメートルの製造技術を発表

2011年 04月 20日

 

  • 業界をリードする19nm 64ギガビット・X2・メモリーチップ、世界最小のNANDフラッシュメモリチップ
  • 2011年の下半期より量産開始予定

2011年4月20日(カリフォルニア州ミルピタス発)―フラッシュメモリーカードで世界をリードするサンディスクコーポレーション(NASDAQ: SNDK)は本日、64ギガビット(Gb)、2ビット/セル(X2)をベースとした世界最先端のメモリープロセステクノロジーノードとなる19ナノメートル(nm)技術のチップを発表しました。この最新技術により、携帯電話、タブレットコンピュータやその他の機器で使われる組み込み型ストレージやリムーバブルストレージデバイスなどの小さなフォームファクタかつ大容量ストレージが実現します。

サンディスクは、19nm 64Gb X2デバイスのサンプルを今期提供予定で、量産開始は、2011年の下半期を予定しています。量産と同時に、サンディスクは19nmプロセス技術 を使用した3ビット/セル(X3)製品を製品ラインアップに追加する予定です。

サンディスクのエグゼクティブバイスプレジデント兼チーフテクノロジーオフィサーのヨラム・セダーは、「当社のパートナーである東芝との継続的な協力のもと、業界最先端の19nmプロセス技術による世界最小かつ最低コストのNANDフラッシュチップを投入できることを嬉しく思います。この技術に基づいた製品は、新たなアプリケーションや新たなフォームファクタ、新たなユーザー体験を可能にするように設計されています。これにより、フラッシュ業界は今後ますます発展していくでしょう」と述べています。

19 nmメモリーダイは、高度な革新的プロセス技術とセル設計ソリューションを利用した、現段階で最も高度なフラッシュメモリ技術ノードです。独自のプログラミングアルゴリズムとマルチレベルのデータストレージ管理スキームによるサンディスクのABL(オールビットライン)アーキテクチャにより、性能や信頼性を損なわないマルチレベルセル(MLC)・NANDフラッシュメモリチップの製造が可能です。


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サンディスクについて
フラッシュメモリーカードで世界をリードしているサンディスクコーポレーションは、フラッシュストレージカードの発明者であり、世界最大のカード供給会社です。研究、製造、製品設計分野からコンシューマー向けブランド構築、小売に至るまで手がけています。サンディスクの製品ラインナップは、携帯電話、デジタルカメラ、およびデジタルビデオカメラ、ゲーム機向けのフラッシュメモリーカード、デジタルオーディオプレイヤー、コンシューマーおよび企業向けUSBフラッシュメモリー、モバイル機器向けの組み込みメモリ、コンピュータ用のソリッドステートドライブなど多岐にわたります。サンディスク(www.sandisk.co.jp/corporate)は、シリコンバレーを本拠地とするS&P500採用企業であり、売上の50%以上は米国以外の市場で挙げています。

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