プレスリリース

【CES ラスベガス発リリース抄訳】サンディスクのiNAND ウルトラ™ 組み込みメモリー、2012年モバイル機器がより小型でスマートなデザインに

2012年 01月 08日

・世界最先端の19nmプロセス技術によるサンディスクの組み込みフラッシュメモリー

・高度な製造技術と革新的なパッケージ技術により、タブレット、スマートフォン、
その他家電製品向けに小さなフットプリントで最大64GBのストレージ容量を提供

・次世代モバイルOS向けに最適化

2012年1月9日(CES、ラスベガス発) -フラッシュメモリーストレージソリューションで世界をリードするサンディスクコーポレーション(NASDAQ: SNDK)は本日、業界最先端のチップ製造プロセスとなる19ナノメートル(nm)の製造技術を初めて採用した組み込みフラッシュメモリー製品のサンディスクiNAND ウルトラ™ シリーズを発表しました。

高度な製造・パッケージ技術により、スリムでパワフルなモバイル機器を実現
電子回路のサイズを縮小することで、消費者がより多くのコンテンツをスマートフォンやタブレットなどの電子機器で楽しむことができるように、各種機器メーカーはストレージ容量のより大きい製品を開発することが可能となります。ナノメートルは10億分の1メートルで、19nmの回路線幅は髪の毛1本の3,000分の1ほどの細さです。

サンディスクiNAND ウルトラ ソリューションは、世界中の主要なモバイル機器メーカーで数多く採用されています。サンディスクの19nm技術によるe・MMC(組み込みモバイル標準インターフェース)機器は、サンディスクの2ビット/セル技術を活用した、同社の第10世代のマルチレベルセル製品となります。また、サンディスクの革新的なパッケージ技術により、よりスマートでスリムなフォームファクタの製品設計が可能となり、11.5x13mmの小さなパッケージで最大64GBのストレージ容量を提供します。高度なパッケージ技術により、1mmという薄さでありながらこの容量を実現しました。

組み込みメモリー事業担当バイスプレジデントのアミール・レアーは、「2012年には、サンディスクiNAND ウルトラを皮切りに、iNAND組み込みフラッシュメモリー製品3シリーズが最先端の19nmプロセス技術に移行します。サンディスクの高度な製造・パッケージ技術により、ストレージ容量拡大と機器のフットプリント縮小の要件をサポートし、よりスマートなデザインで機能豊富なモバイル機器の需要拡大に対応します」と述べています。

高速なパフォーマンスとホストとの最適化によりユーザーエクスペリエンスを向上
iNAND ウルトラは、Google Android、Windows Mobileなどの現世代および次世代の主要なモバイルOSに最適化されています。OS最適化と傑出したランダムパフォーマンス特性により、応答性が高く卓越した閲覧性能やマルチタスク性能を持つモバイル機器を消費者に提供することが可能となります。

iNANDの新製品は、最大20MB/秒のシーケンシャル書込み性能と、最大80MB/秒のシーケンシャル読取り性能により、より高速なファイル転送を可能にします。サンディスクは、ホスト機器と組み込みフラッシュメモリー間で必要なタイトな統合を確保するべく、主要なOEMやチップセットベンダーと連携しています。これにより、実現しうる最高のモバイルユーザーエクスペリエンスを提供しており、その結果、サンディスクiNAND組み込みメモリー技術は主要なモバイルリファレンス設計に採用されています。

細分化された製品群により、あらゆるモバイル機器のニーズに対応
家電製品市場において、より小型で強力なモバイル機器が普及するのに伴い、フラッシュメモリーの利用は携帯電話やタブレットから、新たな製品や新しい利用モデルへと拡大しています。サンディスクiNAND製品ファミリーでは、モバイル市場のあらゆる性能や容量の要件に合致する組み込みストレージソリューションが提供されます。サンディスクiNAND™ファミリーには、iNAND、iNAND ウルトラ、iNAND エクストリーム™製品があります。

サンディスクiNANDは、大容量のストレージソリューションとなるだけでなく、信頼性の高いブートコードとアプリケーションストレージデバイス機能が搭載されています。サンディスクの主力のマルチレベルセル技術が採用されており、サンディスクiNAND製品は3ビット/セル(X3)技術が、サンディスクiNAND ウルトラおよびiNAND エクストリームは2ビット/セル技術が活用されています。サンディスクiNANDデバイスは、個別および低消費電力のモバイルDRAMとのMCP(マルチチップパッケージ)の構成で提供されます。

提供時期
サンディスクのiNAND ウルトラ製品は、当初は8GBから64GBの容量で、2012年第1四半期前半にサンプル出荷が開始される予定です。量産は第2四半期前半を予定しています。


注釈1:1ギガバイト(GB)=10億バイト。すべての容量をデータ保存のために使用することはできません。

注釈2:サンディスクの社内試験に基づくものであり、パフォーマンスはホストデバイスによって低くなる可能性があります。1メガバイト=百万バイト。X = 150KB/秒。

© 2011 SanDisk Corporation. All rights reserved.

サンディスク、サンディスク・ロゴ、iNAND、iNAND ウルトラ、iNAND エクストリームはサンディスクコーポレーションのトレードマークであり、米国及び海外諸国で登録されています。

本リリースには新製品、アプリケーションおよび特徴についてなど、将来の見通しに関する記述がありますが、これは現時点での予想に基づく予測であり、様々なリスクと不確実な要素を含んでいるため、不正確になる可能性があります。将来の見通しに関する記述を不正確とさせるリスクには、製品が期待通りの価格もしくは国と地域、容量帯で提供されない、製品が期待通りの性能を発揮しない等のほか、年次報告書(Form10-K)及び四半期報告書(Form 10-Q)等米国証券取引委員会に提出される報告書類に適時詳細が記される他のリスクがありますが、それらに限定されるものではありません。尚、サンディスクは本リリースに含まれる情報を更新する予定はございません。

サンディスクについて
フラッシュメモリーカードで世界をリードしているサンディスクコーポレーションは、フラッシュストレージカードの発明者であり、世界最大のカード供給会社です。研究、製造、製品設計分野からコンシューマー向けブランド構築、小売に至るまで手がけています。サンディスクの製品ラインナップは、携帯電話、デジタルカメラ、およびデジタルビデオカメラ、ゲーム機向けのフラッシュメモリーカード、デジタルオーディオプレイヤー、コンシューマーおよび企業向けUSBフラッシュメモリー、モバイル機器向けの組み込みメモリ、コンピュータ用のソリッドステートドライブなど多岐にわたります。サンディスク(www.sandisk.co.jp/corporate)は、シリコンバレーを本拠地とするS&P500採用企業であり、売上の50%以上は米国以外の市場で挙げています。 サンディスク株式会社は、東京に本社を置き、大船、四日市にオフィスがあり、日本での営業・マーケティング業務拠点ならびにNANDフラッシュメモリーの開発・製造を行っています。

 

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