プレスリリース

【カリフォルニア州ミルピタス発抄訳リリース】サンディスク、業界最先端の製造技術をさらに向上

2013年 05月 20日

業界最先端の1Yナノメートル(nm)プロセス技術に基づくフラッシュメモリー製品の
顧客向けサンプルの出荷を開始したことを発表

2013年5月21日(カリフォルニア州ミルピタス発)― フラッシュメモリーストレージソリューションで世界をリードするサンディスクコーポレーション(NASDAQ: SNDK)は本日、業界最先端の1Yナノメートル(nm)プロセス技術に基づくフラッシュメモリー製品の顧客向けサンプルの出荷を開始したことを発表しました。

1Ynmプロセス技術は19nm製造技術の第2世代となるもので、サンディスクは半導体製造におけるこの大きな技術革新により、メモリーセルのサイズを19nm x 26nmから19nm x 19.5nmへと25%縮小しました。今後もさらに小型でパワフルなフラッシュメモリー製品の開発で業界をけん引します。

サンディスクの第2世代19nmメモリーダイでは、高度なプロセス技術やセル設計ソリューションなど、これまでで最も洗練されたフラッシュメモリー技術ノードが使用されています。サンディスク独自のプログラミングアルゴリズムとマルチレベルデータストレージ管理スキームを持つABL(オールビットライン)アーキテクチャにより、パフォーマンスや信頼性に妥協のないMLC(マルチレベルセル)NANDフラッシュメモリーチップの生産が可能となります。さらに、第2世代19nm製造技術にサンディスクの3ビット/セル(x3)テクノロジーを適用し、可能な限り低コストのフラッシュソリューションを提供し、拡大する様々なフラッシュメモリーのエンドマーケットに対応します。

フラッシュメモリーチップで使われる回路を微細化する最新の技術革新によって、サンディスクはフラッシュメモリーの容量をさらに高めながら、製造コストを抑えることができました。この高度な製造技術を通じて、世界中の消費者や企業は、より大容量で小型のサンディスクのフラッシュメモリーチップを携帯電話、タブレット、クライアントやエンタープライズ向けソリッドステートドライブ(SSD)やコンシューマー製品で利用できるようになります。

■サンディスクについて

フラッシュメモリーカードで世界をリードしているサンディスクコーポレーションは、研究開発、製品設計、製造から消費者向けブランド構築、OEMならびにリテール販売に至るまでトータルに手がけています。1988年から、サンディスクはフラッシュメモリーやストレージシステム技術での技術革新によりお客様に斬新で変化するデジタルエクスペリエンスを提供してきました。サンディスクの製品ラインナップは、フラッシュメモリーカードをはじめ、携帯電話、タブレット、デジタルカメラ、およびデジタルビデオカメラ、デジタルオーディオプレイヤー等のコンシューマー機器に使われる組み込みソリューション、USBフラッシュメモリー、コンピューター用のソリッドステートドライブ(SSD)など多岐にわたります。サンディスクの製品は世界中の個人のお客様やエンタープライズ顧客に使われています。

サンディスク(www.sandisk.com)は、シリコンバレーを本拠地とするS&P500採用企業であり、売上の50%以上は米国以外の市場が占めています。サンディスク株式会社は、東京に本社を置き、大船、四日市にオフィスがあり、日本での営業・マーケティング業務拠点ならびにNANDフラッシュメモリーの開発・製造を行っています。


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サンディスクはサンディスクコーポレーションのトレードマークであり、米国その他の国で登録されています。 本リリース内で記述されている他のブランド名は識別の目的で記されたものであり、それぞれの登録者のトレードマークである場合 があります。

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